窒化ケイ素セラミックスの誘電率


窒化ケイ素セラミックス, 窒化ケイ素セラミックスは高性能構造用セラミック材料として、その独特の誘電特性により、電子、通信、航空宇宙、エネルギー分野で重要な役割を果たしています。本稿では、専門家の視点から窒化ケイ素セラミックスの誘電率特性、製品優位性、応用シナリオ、選定基準を分析し、世界のバイヤー向けに包括的な技術参考資料を提供します。.

Dielectric constant of silicon nitride ceramics

窒化ケイ素セラミックスの誘電率の基本特性

  1. 誘電率の定義と数値範囲
    誘電率(ε)は、電界中で電気エネルギーを蓄える物質の能力を測定する物理パラメータである。窒化ケイ素セラミックスの誘電率は通常7.5~8.5の範囲(周波数1MHz、室温条件)にあり、その具体的な値は以下の要因によって影響を受ける:
    -材料純度:高純度窒化ケイ素(Si∝N₄)はより安定した誘電率を有する
    -微細構造:結晶相組成(α-Si∝N₄とβ-Si∝N₄の比率)
    -製造工程:ホットプレス焼結と反応焼結製品の差異
    -試験周波数:1kHz~10GHzの範囲内における変動は±0.3未満
  2. 周波数および温度安定性
    窒化ケイ素セラミックスの誘電率は、優れた周波数安定性(10Hz~1MHzで変動<2%)と温度安定性(-50℃~300℃で変動<3%)を示し、広帯域周波数および高温・低温環境下でも一貫した性能を維持できる。.
Dielectric constant of silicon nitride ceramics

製品の優位性と問題解決能力

  1. 主要な性能上の利点
    -低誘電損失:tan δ<0.002(1MHz)、高周波信号伝送効率を確保
    -高い熱伝導率:90-150 W/(m・K)、電子機器の放熱問題を効果的に解決
    -高強度・高靭性:曲げ強度600-1000MPa、破壊靭性6-9MPa・m¹/²
    -耐食性:ほとんどの酸・アルカリ腐食に耐性があり、部品の寿命を延長します
    -低熱膨張係数:2.5-3.2 × 10⁻⁶/℃、半導体材料との適合性に優れる
  2. 対処すべき中核産業課題
    -5G通信:高周波信号の減衰を低減し、基地局フィルタとアンテナカバーの性能を向上させる
    -パワーエレクトロニクス:従来のAl₂O₃/AlN基板に代わる統合絶縁・放熱ソリューションを提供
    -航空宇宙:極端な温度・放射線環境下における誘電体安定性の維持
    -新エネルギー車:IGBTモジュールと充電スタンド絶縁部品の信頼性向上
    -半導体製造:エッチング装置の構成部品として、プラズマ腐食に耐性を持つ
Dielectric constant of silicon nitride ceramics

アプリケーションシナリオの例

  1. マイクロ波および高周波部品
    -レーダーアンテナカバー(低誘電損失により信号透過率>95%を保証)
    -マイクロ波誘電体共振器(周波数温度係数は±5ppm/℃にカスタマイズ可能)
  2. パワーエレクトロニクスパッケージング
    -IGBT/DBC基板(熱伝導率>90W/mK、絶縁破壊電圧>15kV/mm)
    -高電圧絶縁リング(絶縁耐力40%でアルミナより高い)
  3. 半導体製造装置
    -プラズマエッチングリング(耐食性により装置寿命が3倍以上向上)
    -ウエハーハンドリングアーム(静電気防止、粒子汚染低減)
Dielectric constant of silicon nitride ceramics

なぜ当社の窒化ケイ素セラミック製品を選ぶのか

  1. 技術的製造上の優位性
    -材料純度管理:高純度シリコン粉末(>99.91%)と先進的な窒化プロセスを採用し、ロット間の均一性を確保
    -精密成形技術:等方圧プレス+圧力焼結により、理論値の99.51%以上の密度を実現
    -微細構造制御:積層造形設計と焼結曲線の最適化により、β-Si∝N₄粒子の長径比を精密に制御する
    -加工精度:CNC加工+レーザー切断、寸法公差±0.01mm、表面粗さRa<0.2μm
  2. カスタマイズされたサービス能力
    -誘電特性のカスタマイズ:お客様の周波数要件に応じてε値(7.0~9.0の範囲で調整可能)を調整します
    -形状とサイズのカスタマイズ:複雑形状部品および薄肉部品(最小厚さ0.3mm)の製造に対応
    -表面処理のカスタマイズ:金属化(Mo Mn法 DBC)、コーティングや研磨などの二次加工
    -迅速な試作サイクル:機能サンプルを15~25日で提供し、お客様の研究開発期間を短縮
Dielectric constant of silicon nitride ceramics

顧客事例(匿名表示)
事例1:欧州の5G機器メーカー
要件: ε=8.0 ± 0.2(28GHz)、tan δ95%の材料組成をカスタマイズし、焼結プロセスを最適化
結果: 本製品はETSI規格試験に合格し、信号損失を37%削減しました。3年間にわたり大量購入されています。
事例2:日本のパワーモジュールメーカー
要件: 電気自動車用IGBTモジュールの不均一な放熱問題を解決するため、AlN基板を代替する
解決策 高熱伝導率窒化ケイ素(145W/mK)とDBC技術を組み合わせた開発
結果: モジュール熱抵抗が28%分低減され、パワーサイクル寿命がAlN基板の1.8倍に増加
事例3:アメリカン・セミコンダクター・エクイップメント社
要件: プラズマエッチング装置部品、CF₄/O₂プラズマ腐食に対する耐性が2000時間以上必要
解決策:高密度反応焼結Si∝N₄(理論密度99.1%超)を採用する
結果: 部品寿命は600時間から2500時間に延長され、年間保守コストは65%削減されました

Dielectric constant of silicon nitride ceramics

窒化ケイ素セラミックスは、その絶縁特性(適度な誘電率、極めて低い誘電損失、優れた熱管理性能)と機械的特性のユニークな組み合わせにより、ハイエンド電子機器および産業用途における重要材料となっている。5G通信、新エネルギー車、半導体産業の急速な発展に伴い、窒化ケイ素セラミックス部品への需要は今後も拡大し続ける見込みである。.

ブルーズ・セラミックス は、アルミナセラミックス、ジルコニアセラミックス、窒化ケイ素セラミックス、窒化アルミニウムセラミックス、炭化ケイ素セラミックス、炭化ホウ素セラミックス、バイオセラミックス、マシナブルセラミックスなど、高品質の石英ガラスを幅広く供給・販売しています。様々なセラミック製品のカスタマイズ要求にもお応えします。

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