Ist Tonerdekeramik eine Halbleiterkeramik?

Grundlegende Eigenschaften von Aluminiumoxid-Keramik
Aluminiumoxid-Keramik (Al ₂ O3-Keramik) ist ein keramisches Hochleistungsmaterial mit Aluminiumtrioxid vom α-Typ (α-Al ₂ O3) als Hauptkristallphase, das die folgenden wesentlichen Merkmale aufweist:
-Hohe Härte und Verschleißfestigkeit: Die Mohshärte kann 8-9 erreichen und ist damit die zweithärteste nach Diamant.
-Hoher Schmelzpunkt und hohe Temperaturstabilität: Der Schmelzpunkt liegt bei etwa 2072 °C, und es kann in Umgebungen mit hohen Temperaturen stabil bleiben.
-Hervorragende elektrische Isolationsleistung: Mit einem spezifischen Volumenwiderstand von bis zu 10 ¹⁴ -10 ¹⁶Ω- cm ist es ein ideales elektrisches Isoliermaterial.
-Gute chemische Stabilität: Ausgezeichnete Beständigkeit gegen Säuren, Basen (außer Flusssäure) und Plasma.
-Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient: Ähnlich wie Siliziumwerkstoffe (7-8 × 10 -⁶/℃) kann es die thermische Belastung verringern.

Ist Tonerdekeramik eine Halbleiterkeramik?
Aluminiumoxidkeramiken sind keine Halbleiterkeramiken. Die Leitfähigkeit von Halbleiterkeramik liegt zwischen der von Leitern und Isolatoren, und ihre Leitfähigkeit schwankt erheblich in Abhängigkeit von äußeren Faktoren wie Temperatur, Feuchtigkeit, Licht, elektrischem Feld und Magnetfeld. Aluminiumoxidkeramiken haben einen hohen elektrischen Widerstand und hervorragende elektrische Isolationseigenschaften, aber ihre Leitfähigkeit ist extrem niedrig, was nicht der Definition von Halbleitermaterialien entspricht.

Anwendung von Aluminiumoxid-Keramik im Halbleiterbereich
Obwohl Aluminiumoxidkeramiken selbst keine Halbleitermaterialien sind, werden sie aufgrund ihrer hervorragenden Isolationseigenschaften, ihrer hohen Temperaturstabilität und ihrer chemischen Beständigkeit häufig im Halbleiterbereich eingesetzt.

1. Verpackungssubstrat für integrierte Schaltungen: Aluminiumoxidkeramik wird für mehrschichtige keramische Substrate verwendet, um Chips zu tragen und elektrische Verbindungen herzustellen.
2. Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen: Aluminiumoxid-Keramikkomponenten werden häufig in Ätzkammern, Gasdüsen, Wafertischen usw. verwendet. Ihre hohe Reinheit (≥ 99,5%) kann eine Verunreinigung des Wafers verhindern.
3. Funktion der Isolierung und Wärmeableitung: Die Wärmeleitfähigkeit (20-30 W/(m - K)) und der geringe dielektrische Verlust von Aluminiumoxid-Keramik machen es zu einem idealen Isoliermaterial, das für Hochfrequenz- und Hochspannungsumgebungen geeignet ist.

Aluminiumoxid-Keramik sind aufgrund ihrer hohen Isolierfähigkeit und Stabilität unverzichtbare Isoliermaterialien bei der Halbleiterherstellung, im Gegensatz zu Halbleiterkeramiken. Seine breite Anwendung in Halbleitergeräten ist hauptsächlich auf seine hervorragenden physikalischen, chemischen und mechanischen Eigenschaften zurückzuführen.